- Код статьи
- S30345731S1028096025040106-1
- DOI
- 10.7868/S3034573125040106
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 4
- Страницы
- 70-74
- Аннотация
- Представлены результаты исследования пленок оксида кремния, полученных методом PECVD на Si-подложках. Их имплантировали ионами Zn с энергией 50 кэВ (доза 7×10 см), а затем отжигали в атмосфере кислорода при повышенных температурах. Обнаружено, что после имплантации в пленке SiO цинк распределен по нормальному закону с максимумом около 40 нм. После имплантации цинк находится в пленке оксида кремния как в металлической фазе (ближе к поверхности пленки), так и в окисленном состоянии (в глубине пленки). После отжигов до 800°С профиль цинка смещается вглубь пленки, в этом случае цинк находится в пленке только в окисленном состоянии. При высоких температурах (более 800°С) профиль цинка смещается к поверхности пленки.
- Ключевые слова
- Zn пленка SiO имплантация отжиг ZnO резерфордовское обратное рассеяние электронная оже-спектроскопия
- Дата публикации
- 22.01.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 40
Библиография
- 1. Старостин В.В. Материалы и методы нанотехнологий. М.: БИНОМ, 2015. 434 с.
- 2. Litton С.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Zinc Oxide Material for Electronic and Optoelectronic Device Application. Chichester: Wiley, 2011.
- 3. Neshataeva E., Kummell T., Bacher G., Ebbers A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 091115. https://doi.org/10.1063/1.3093675
- 4. Chu S., Olmedo M., Yang Zh. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 181106. https://doi.org/10.1063/1.3012579
- 5. Smestad G.P., Gratzel M. // J. Chem. Educ. 1998. V. 75. P. 752. https: j.chem.wisc.edu.
- 6. Li C., Yang Y., Sun X.W., Lei W., Zhang X.B., Wang B.P., Wang J.X., Tay B.K., Ye J.D., Lo G.Q., Kwong D.L. // Nanotechnology. 2007. V. 18. P. 135604. https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/13/135604
- 7. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. 43. P. 1801187. https://doi.org/10.1002/adma.201801187
- 8. Sirelkhatim A., Mahmud S., Seeni A., Kaus N.H.M., Ann L.C., ohd Bakhori S.K., Hasan H., Mohamad D. // Nano-Micro Lett. 2015. V. 7. P. 219. https://doi.org/10.1007/s40820-015-0040-x
- 9. Inbasekaran S., Senthil R., Ramamurthy G., Sastry T.P. // Intern. J. Innov. Res. Sci. Eng. Technol. 2014. V. 3. P. 8601. www.ijirset.com.
- 10. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Schutz G., van Aken P.A., Goering E., Baretzky B. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 205206. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.205206
- 11. Ilyas N., Li C., Wang J., Jiang X., Fu H., Liu F., Gu D., Jiang Y., Li W. // J. Phys. Chem. Lett. 2022. V. 13 (3). P. 884. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c03912
- 12. Qin F., Zhang Y., Guo Z. et al. // Mater. Adv. 2024. V. 5. P. 4209. https://doi.org/10.1039/d3ma01142
- 13. Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. // Mater. Lett. 2022. V. 310. P. 131494. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.131494
- 14. Mehonic A., Gerard T., Kenyon A.J. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. P. 233502. https://doi.org/10.1063/1.5009069
- 15. Chang K.C., Tsai T.M., Chang T.C., Wu H.H., Chen J.H., Syu Y.E., Chang G.W., Chu T.J., Liu G.R., Su Y.T., Chen M.C., Pan J.H., Chen J.Y., Tung C.W., Huang H.C., Tai Y.H., Gan D.S., Sze S.M. // IEEE Eelecron. Dev. Lett. 2013. V. 34 (9). P. 399. https://doi.org/10.1109/LED.2013.2241725
- 16. Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Kiselev D.A., Voronova M.I. // J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2022. V. 16 (3). P. 402. https://doi.org/10.1134/S1027451022030314
- 17. Hofmann S. Auger- and X-Ray Photoelectron Spectroscopy in Material Science. Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 2013.
- 18. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Ред. Бриггс Д., Сих М.П. М.: Мир, 1987. 600 с.
- 19. Монахова Ю.Б., Муштакова С.П. // Журнал аналитической химии. 2012. Т. 67. Вып. 12. С. 1044.
- 20. SIMNRA code. https://mam.home.ipp.mpg.de/
- 21. Ziegler J.F., Biersack J.P. SRIM 2013 (http://www.srim.org).
