By this author

Synthesis of Thin Films of NiO [111] on c-AlO Substrates by Pulsed Laser Deposition

Issue number 9 from 09.04.2025

Тонкие пленки NiO толщиной от 40 до 170 нм были получены методом импульсного лазерного осаждения на подложках c-AlO с использованием второй гармоники YAG:Nd-лазера для абляции металлической мишени Ni в вакуумной камере при давлении кислорода 7.5 мТорр и температуре подложки 370°С. Методом рентгеновской дифракции установлено, что все пленки NiO высокого кристаллического совершенства, имеют ориентацию [111]. Шероховатость поверхности полученных пленок находится в диапазоне от 1.6 до 2.3 нм. Установлено, что при увеличении толщины пленки NiO уменьшается концентрация носителей заряда и возрастает удельное сопротивление. По данным измерений оптических свойств пленок ширина запрещенной зоны увеличивается от 3.43 до 3.63 эВ с уменьшением толщины.

1 0