- Код статьи
- S30345731S1028096025040056-1
- DOI
- 10.7868/S3034573125040056
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 4
- Страницы
- 37-43
- Аннотация
- Методами математического моделирования рассмотрен процесс нестационарной диффузии неравновесных неосновных носителей заряда, возникающий после прекращения воздействия электронного зонда на однородную полупроводниковую мишень. Для низкоэнергетического (до 10 кэВ) электронного зонда предложена математическая модель двумерной диффузии носителей заряда в однородном полупроводниковом материале с учетом динамики изменения температуры мишени после прекращения облучения. При расчетах зависимости плотности сгенерированных электронным зондом неравновесных неосновных носителей заряда от координат использована математическая модель потерь энергии первичными электронами, учитывающая раздельный вклад электронов, испытавших малоугловое рассеяние и поглощенных в мишени, и вклад обратно рассеянных электронов, испытавших небольшое количество рассеяний на большие углы и вышедших из мишени. Дифференциальное уравнение теплопроводности решено приближенно с использованием проекционного метода. Количественное описание зависимостей от температуры эффективного времени жизни и коэффициента диффузии сгенерированных носителей заряда проведено с учетом имеющихся результатов экспериментальных исследований с помощью электронного зондирования катодолюминесценции однородного монокристаллического нитрида галлия. Модельные расчеты проведены для диффузии экситонов в однородном монокристаллическом нитриде галлия при наличии двух независимых каналов рекомбинации неравновесных носителей заряда.
- Ключевые слова
- диффузия экситонов переменное время жизни переменный коэффициент диффузии полупроводниковая мишень профиль концентрации
- Дата публикации
- 28.01.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 52
Библиография
- 1. Stepovich M.A., Turtin D.V., Seregina E.V., Polyakov A.N. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1203. P. 012095. https://www.doi.org/10.1088/1742-6596/1203/1/012095
- 2. Серегина Е.В., Степович М.А., Макаренков А.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. № 1. С. 93. https://www.doi.org/10.7868/S0207352818010158
- 3. Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2023. № 3. C. 74. https://www.doi.org/10.31857/S1028096023030159
- 4. Амрастанов А.Н., Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. № 8. С. 48. https://www.doi.org/10.1134/S0207352818080036.
- 5. Амрастанов А.Н., Серегина Е.В., Степович М.А. // Известия РАН. Серия физическая. 2019. Т. 83. № 11. С. 1455. https://www.doi.org/10.1134/S0367676519110024
- 6. Noltemeyer M., Bertram F., Hempel T., Bastek B., Polyakov A., Christen J., Brandt M., Lorenz M., Grundmann M. // J. Mater. Res. 2012. V. 27. № 17. P. 2225.
- 7. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Прикладная физика. 2012. № 6. С. 41.
- 8. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Прикладная физика. 2015. № 4. C. 11.
- 9. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Christen J., Степович М.А., Туртин Д.В. // Перспективные материалы. 2016. № 2. C. 74.
- 10. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2012. № 11. С. 35.
- 11. Polyakov A.N., Smirnova A.N., Stepovich M.A., Turtin D.V. // Lobachevskii Journal of Mathematics. 2018. V. 39. № 2. P. 259.
- 12. Turtin D.V., Stepovich M.A., Kalmanovich V.V., Seregina E.V. // J. Math. Sci. 2021. V. 255. № 6. P. 773. https://www.doi.org/10.1007/s10958-021-05414-2
- 13. Серегина Е.В., Степович М.А., Макаренков А.М. // Итоги науки и техники. Сер. Соврем. мат. и ее прил. Тематический обзор. 2021. Т. 200. № 1(11). С. 105. https://www.doi.org/10.36535/0233-6723-2021-200105-114
- 14. Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Итоги науки и техники. Сер. Соврем. мат. и ее прил. Тематический обзор. 2024. Т. 233. С. 89. https://www.doi.org/10.36535/2782-4438-2024-233-89-98
- 15. Ханефт А.В., Долгачев В.А., Дугинов Е.В., Иванов Г.А. // Вестник КемГУ. 2013. Т. 3. № 3 (55). C. 31.
- 16. Seregina E.V., Polyakov A.N., Stepovich M.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. P. 012032.
- 17. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Известия РАН. Серия физическая. 2012. Т. 76. № 9. С. 1082.
- 18. Properties of group III nitrides. / Ed. Edgar J. H. London: INSPEC. 1994. 302 p.
- 19. Properties, processing and application of GaN and related semiconductors / Ed. Edgar J.H. London: INSPEC. 1999. 830 p.
- 20. Novikov Yu.A., Rakov A.V., Filippov M.N. // Measurement Techniques. 2004. V. 47. № 5. P. 438. https://www.doi.org/10.1023/B:METE.0000038108.67246.68
