- Код статьи
- S30345731S1028096025030104-1
- DOI
- 10.7868/S3034573125030104
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 3
- Страницы
- 62-68
- Аннотация
- Исследованы особенности накопления радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке подзатворного диэлектрика при сильнополевой инжекции электронов в режиме постоянного напряжения. Определены условия, при которых можно использовать данный режим инжекции электронов для повышения дозовой чувствительности МОП-сенсоров (МОП - металл-оксид-полупроводник) и сенсоров RADFET (Radiation sensing Field Effect Transistor) радиационных излучений. Скорректированы модельные представления о физических процессах, протекающих в подзатворном диэлектрике и на границах раздела МОП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов в режиме постоянного напряжения. Показано, что поглощенную дозу радиационного излучения при постоянном напряжении на образце можно определять из изменений плотности тока сильнополевой инжекции электронов, которая может увеличиваться на несколько порядков вследствие накопления в подзатворном диэлектрике радиационно-индуцированного положительного заряда. Определено влияние интенсивности излучения на процессы накопления радиационно-индуцированного положительного заряда в подзатворном диэлектрике МОП-сенсоров.
- Ключевые слова
- МОП-структура радиационное излучение сильнополевая инжекция электронов подзатворный диэлектрик сенсор радиационного излучения
- Дата публикации
- 23.12.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 43
Библиография
- 1. Yilmaz E., Kaleli B., Turan R. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2007. V. 264. P. 287. http://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.08.081
- 2. Kahraman A., Yilmaz E., Aktag A., Kaya S. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2016. V. 63. № 2. P. 1284. http://doi.org/10.1109/TNS.2016.2524625
- 3. Aktağ A., Yilmaz E., Mogaddam N.A.P., Aygün G., Cantas A., Turan R. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2010. V. 268. № 22. P. 3417. http://doi.org/10.1016/j.nimb.2010.09.007
- 4. Yilmaz E., Turan R. // Sensors Actuators. A. 2008. V. 141. № 1. Р. 1. http://doi.org/10.1016/j.sna.2007.07.001
- 5. Holmes-Siedle A., Adams L. // Radiat. Phys. Chem. 1986. V. 28. P. 235. http://doi.org/10.1016/1359-0197 (86)90134-7
- 6. Pejović M.M. // Radiat. Phys. Chem. 2017. V. 130. P. 221. http://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2016.08.027
- 7. Ristic G.S., Vasovic N.D., Kovacevic M., Jaksic A.B. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2011. V. 269. P. 2703. http://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.08.015
- 8. Ristic G.S., Ilic S.D., Andjelkovic M.S., Duane R., Palma A.J., Lalena A.M., Krstic M.D., Jaksic A.B. // Nuclear Instrum. Methods Phys. Res. A. 2022. V. 1029. P. 166473. http://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166473
- 9. Lipovetzky J., Holmes-Siedle A., Inza M.G., Carbonetto S., Redin E., Faigon A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2012. V. 59. P. 3133. http://doi.org/10.1109/TNS.2012.2222667
- 10. Siebel O.F., Pereira J.G., Souza R.S., Ramirez-Fernandez F.J., Schneider M.C., Galup-Montoro C. // Radiat. Measur. 2015. V. 75. P. 53. http://doi.org/10.1016/j.radmeas.2015.03.004
- 11. Kulhar M., Dhoot K., Pandya A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2019. V. 66. P. 2220. http://doi.org/10.1109/TNS.2019.2942955
- 12. Camanzi B., Holmes-Siedle A.G. // Nature Mater. 2008. V. seven. P. 343. http://doi.org/10.1038/nmat2159
- 13. Oldham T.R., McLean F.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2003. V. 50. P. 483. http://doi.org/10.1109/TNS.2003.812927
- 14. Schwank J.R., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Felix J.A., Dodd P.E., Paillet P., Ferlet-Cavrois V. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2008. V. 55. P. 1833. http://doi.org/10.1109/TNS.2008.2001040
- 15. Lipovetzky J., Redin E.G., Faigon A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2007. V. 54. P. 1244. http://doi.org/10.1109/TNS.2007.895122
- 16. Peng L., Hu D., Jia Y., Wu Y., An P., Jia G. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2017. V. 64. P. 2633. http://doi.org/10.1109/TNS.2017.2744679
- 17. Andreev D.V., Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Sensors. 2020. V. 20. P. 2382. http://doi.org/10.3390/s20082382
- 18. Andreev V.V., Maslovsky V.M., Andreev D.V., Stolyarov A.A. // Proc. SPIE. 2019. V. 11022. P. 1102207. http://doi.org/10.1117/12.2521985
- 19. Andreev D.V., Bondarenko G.G., Andreev V.V. // J. Surf. Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2023. V. 17. P. 48. http://doi.org/10.1134/S1027451023010056
- 20. Lai S.K. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 2540. http://doi.org/10.1063/1.332323
- 21. Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 10278. http://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.10278
- 22. Strong A.W., Wu E.Y., Vollertsen R., Sune J., Rosa G.L., Rauch S.E., Sullivan T.D. Reliability Wearout Mechanisms in Advanced CMOS Technologies. Wiley-IEEE Press, 2009. 624 p.
- 23. Palumbo F., Wen C., Lombardo S., Pazos S., Aguirre F., Eizenberg M., Hui F., Lanza M. // Adv. Funct. Mater. 2019. V. 29. P. 1900657. http://doi.org/10.1002/adfm.201900657
