- Код статьи
- S3034573125090164-1
- DOI
- 10.7868/S3034573125090164
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 9
- Страницы
- 122-126
- Аннотация
- Тонкие пленки NiO толщиной от 40 до 170 нм были получены методом импульсного лазерного осаждения на подложках c-AlO с использованием второй гармоники YAG:Nd-лазера для абляции металлической мишени Ni в вакуумной камере при давлении кислорода 7.5 мТорр и температуре подложки 370°С. Методом рентгеновской дифракции установлено, что все пленки NiO высокого кристаллического совершенства, имеют ориентацию [111]. Шероховатость поверхности полученных пленок находится в диапазоне от 1.6 до 2.3 нм. Установлено, что при увеличении толщины пленки NiO уменьшается концентрация носителей заряда и возрастает удельное сопротивление. По данным измерений оптических свойств пленок ширина запрещенной зоны увеличивается от 3.43 до 3.63 эВ с уменьшением толщины.
- Ключевые слова
- антиферромагнетики оксид никеля импульсное лазерное осаждение тонкие эпитаксиальные пленки спинтронные устройства
- Дата публикации
- 09.04.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 3
Библиография
- 1. Becker M., Polity A., Klar P. J. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 175303. https://doi.org/10.1063/1.4991601
- 2. Cheng R., Daniels M. W., Zhu J., Xiao D. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91 P. 064423. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.064423
- 3. Reddy Y.A.K., Reddy A.S., Reddy P.S. // J. Alloys. Compd. 2014. V. 583. P. 396. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.08.180
- 4. Carey M.J., Berkowitz A.E. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 6892. https://doi.org/10.1063/1.352426
- 5. Kumar S.A., Subhash T., Jitendra K. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2008. V. 8. P. 4111. https://doi.org/10.1166/jnn.2008.AN36
- 6. Zhao X., Zhang X., Yin Z., Li W., Yang C., Sun W., Zhang H., Li Y. // Coatings. 2022. V. 12. P. 118. https://doi.org/10.3390/coatings12020118
- 7. Wang Z., Kovalev S., Awari N., Chen M., Germanskiy S., Green B., Deinert J.-C., Kampfrath T., Milano J., Gensch M. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. P. 252404. https://doi.org/10.1063/1.5031213
- 8. Soleimanpour A.M., Jayatissa A.H., Sumanasekera G. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 276. P. 291. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.03.085
- 9. Parshina L., Novodvorsky O., Khramova O., Gusev D., Polyakov A., Mikhalevsky V., Cherebilo E. // Chaos Soliton Fract. 2021. V. 142. P. 110460. https://doi.org/10.1016/j.chaos.2020.110460
- 10. Largeanu A., Pompilian G., Galusca D., Agop M., Gurlui S. // U.P.B. Sci. Bull. A. 2011. V. 73. P. 195.
- 11. Kakehi Y., Nakao S., Satoh K., Kusaka T. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237–239. P. 591. https://doi.org/10.1016/s0022-0248 (01)01964-9
- 12. Tzschaschel C., Otani K., Iida R., Shimura T., Ueda H., Gunther S., Fiebig M., Satoh T. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. P. 174407. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.174407
- 13. Rongione E., Gueckstock O., Mattern M., Gomonay O., Meer H., Schmitt C., Ramos R., Kikkawa T., Mičica M., Saitoh E., Sinova J., Jaffrès H., Mangeney J., Goennenwein S.T.B., Geprägs S., Kampfrath T., Kläui M., Bargheer M., Seifert T.S., Dhillon S., Lebrun R. // Nat. Commun. 2023. V. 14. P. 1818. https://doi.org/10.1038/s41467-023-37509-6
- 14. Fischer J., Gomonay O., Schlitz R., Ganzhorn K., Vlietstra N., Althammer M., Huebl H., Opel M., Gross R., Goennenwein S.T.B., Geprägs S. // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. P. 014417. https://doi.org/10.48550/arXiv.1709.04158
- 15. Yadav S.K., Dhar S. // Semicond Sci Technol. 2021. V. 36. P. 055005. http://dx.doi.org/10.48550/arXiv.2103.04382
- 16. Jahromi S.P., Huang N.M., Kamalianfar A., Lim H.N., Muhamad M.R., Yousefi R. // J. Nanomater. 2012. V. 2012. P. 173825. https://doi.org/10.1155/2012/173825
- 17. Doaa S.J., Jehan A.S., Khawla S.K. // Eng. Tech. J. 2015. V. 33. P. 951. https://doi.org/10.30684/etj.33.5B.19
- 18. Baldrati L., Gomonay O., Ross A., Filianina M., Lebrun R., Ramos R., Leveille C., Fuhrmann F., Forrest T. R., Maccherozzi F., Valencia S., Kronsat F., Saiton E., Sinova J., Kläui M. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 123. P. 177201. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.123.177201
- 19. Zhang L., Zhang H., Zhang D., Li Y., Wen T., Zhong Z., Jin L. // Small Struct. 2023. V. 4. P. 2300076. https://doi.org/10.1002/sstr.202300076
- 20. Xu J., Zhou C., Jia M., Shi D., Liu C., Chen H., Chen G., Zhang G., Liang Y., Li J., Zhang W., Wu Y. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. P. 134413. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.134413
- 21. Siddiqui S.A., Hong D., Pearson J.E., Hoffmann A. // Coatings. 2021. V. 11. P. 786. https://doi.org/10.3390/coatings11070786
- 22. Wang C.X., Yang W., Zhang T.C., Liu H.W., Han Y.H., Luo J.F., Gao C.X., Zou G.T. // Diam. Relat. Mater. 2003. V. 12. P. 1548. https://doi.org/10.1016/S0925-9635 (03)00237-1
- 23. Zhang G., Lu K., Zhang X., Yuan W., Shi M., Ning H. // Micromachines. 2018. V. 9. P. 377. https://doi.org/10.3390/mi9080377
- 24. Yousaf S., Zulfiqar S., Shahi M.S., Warsi M.F., Al-Khalli N.F., Aly Aboud M.F., Shakir I. // Ceram Int. 2020 V. 46. P. 3750. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.10.097
- 25. Baldrati L., Ross A., Niizeki T., Schneider C., Ramos R., Cramer J., Gomonay O., Filianina M., Savchenko T., Heinze D., Kleibert A., Saitoh E., Sinova J., Kläui M. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. P. 024422. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.024422
