- Код статьи
- S3034573125090036-1
- DOI
- 10.7868/S3034573125090036
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 9
- Страницы
- 20-29
- Аннотация
- В настоящей работе исследованы ориентированные массивы нитевидных нанокристаллов InAs и InAs/InP наногетероструктуры со структурой типа "ядро–оболочка" на основе нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована высокая поверхностная плотность нитевидных нанокристаллов в массиве (5–10 на мкм). Данные высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показали, что при толщине оболочки до 15–20 нм на боковых гранях нитевидных нанокристаллов InAs возможен псевдоморфный рост InP, а при толщине оболочки больше 20 нм происходит полная релаксация упругих напряжений. Установлено, что в радиальных гетероструктурированных нитевидных нанокристаллах с тонкой оболочкой из InP дефекты формируются лишь в области вершины, в то время как на радиальной гетерограннице формирование дефектов не наблюдали.
- Ключевые слова
- молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидные нанокристаллы наногетероструктуры InAs InP инфракрасное излучение
- Дата публикации
- 06.02.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 3
Библиография
- 1. Abrand A., Baboli M. A., Fedorenko A., Polly S. J., ManfredaSchulz E., Hubbard S.M., Mohseni P.K. // ACS Appl. Nano Mater. 2022. № 5. P. 840. https://www.doi.org/10.1021/acsanm.1c03557
- 2. Song Ch., Wang P., Qian Y., Zhou G., Nötzel R. // Opt. Express. 2020. V. 28. № 18. P. 25750. https://www.doi.org/10.1364/OE.400590
- 3. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М/: Мир, 1973. 456 с.
- 4. Martyniuk P., Antoszewski J., Martyniuk M., Faraone L., Rogalski A. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. № 4. https://www.doi.org/10.1063/1.4896193
- 5. Li Z., He Z., Xi C., Zhang F., Huang L., Yu Y., Tan H. H., Jagadish C., Fu L. // Adv. Mater. Technol. 2023. V. 8. P. 2202126. https://www.doi.org/10.1002/admt.202202126
- 6. Lauhon L.J., Gudiksen M.S., Wang D., Lieber C.M. // Nature. 2002. V. 420. P. 57. https://www.doi.org/10.1038/nature01141
- 7. Tomioka K., Tanaka T., Hara S., Hiruma K., Fukui T. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2011. № 17. P. 1112. https://www.doi.org/10.1109/JSTQE.2010.2068280
- 8. Titova L.V., Hoang T.B., Jackson H.E., Smith L.M., Yarrison-Rice J.M., Kim Y., Joyce H. J., Tan H.H., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89 P. 173126. https://www.doi.org/10.1063/1.2364885
- 9. Jiang X., Xiong Q., Nam S., Qian F., Li Y., Lieber C.M. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 3214. https://www.doi.org/10.1021/nl072024a
- 10. Van Tilburg J.W.W.V., Algra R.E., Immink W.G.G., Verheijen M., Bakkers E.P.A.M., Kouwenhoven L.P. // Semicond. Sci. Technol. 2010. V. 25 P. 024011. https://www.doi.org/10.1088/0268-1242/25/2/024011
- 11. Dayeh S.A., Tang W., Boioli F., Kavanagh K.L., Zheng H., Wang J., Mack N.H., Swadener G., Huang J.Y., Miglio L., Tu K.-N., Picraux S.T. // Nano Lett. 2013. V. 13 P. 1869. https://www.doi.org/10.1021/nl3022434
- 12. Kavanagh K.L., Saveliev I., Blumin M., Swadener G., Ruda H E. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 044301. https://www.doi.org/10.1063/1.3684964
- 13. Treu J., Bormann M., Schmeiduch H., Döblinger M., Morkötter S., Matich S., Wiecha P., Saller K., Mayer B., Bichler M., Amann M.-C., Finley J. J., Abstreiter G., Koblmüller G., // Nano Lett. 2013. №13. P. 6070−6077. https://www.doi.org/10.1021/nl403341x
- 14. Wallentin J., Jacobsson D., Osterhoff M., Borgström M. T., Salditt T. // Nano Lett. 2017. V. 17. P. 4143. https://www.doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00918
- 15. Göransson D.J.O., Borgström M.T., Huang Y.Q., Messing M.E., Hessman D., Buyanova I.A., Chen W.M., Xu H.Q. // Nano Lett. 2019. V. 19. P. 2674. https://www.doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b00644
- 16. Rota M.B., Ameruddin A.S., Fonseka H.A., Gao Q., Mura F., Polimeni A., Miriametro A., Tan H.H., Jagadish C., Capizzi M. // Nano Lett. 2016. V. 16. P. 5197. https://www.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b02205
- 17. McDermott S., Lewis R.B. // ACS Appl. Nano Mater. 2021. V. 4. P. 10164. https://www.doi.org/10.1021/acsanm.1c01636
- 18. Stankevic T., Hilner E., Seiboth F., Ciechonski R., Vescovi G., Kryliouk O., Johansson U., Samuelson L., Wellenreuther G., Falkenberg G., Feidenhans’l R., Mikkelsen A. // ACS Nano. 2015. V. 9. P. 6978. https://www.doi.org/10.1021/acsnano.5b01291
- 19. Hetzl M., Winnerl J., Francaviglia L., Kraut M., Döblinger M., Matich S., Fontcuberta i Morral A., Stutzmann M. // Nanoscale. 2017. V. 9. P. 7179. https://www.doi.org/10.1039/C7NR00802C
- 20. Anyebe E.A. // Nanomaterials 2020. V. 10. P. 2064. https://www.doi.org/10.3390/nano10102064.
- 21. Hua B., Motohisa J., Kobayashi Y., Hara S., Fukui T. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 112. https://www.doi.org/10.1021/nl802636b.
- 22. Tomioka K., Motohisa J., Hara S., Hiruma K., Fukui T. // Nano Lett. 2010. V. 10. P. 1639. https://www.doi.org/10.1021/nl9041774.
- 23. Mayer B., Rudolph D., Schnell J., Morkötter S., Winnerl J., Treu J., Müller K., Bracher G., Abstreiter G., Koblmüller G., Finley J.J. // Nat. Commun. 2013. V. 4. P. 2931. https://www.doi.org/10.1038/ncomms3931.
- 24. Keplinger M., Martensson T., Stangl J., Wintersberger E., Mandl B., Kriegner D., Holy V., Bauer G., Deppert K., Samuelson L. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 1877. https://www.doi.org/10.1021/nl803881b.
- 25. Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133. № 4. P. 666. https://www.doi.org/10.1149/1.2108651
- 26. Fedorov V.V., Berdnikov Y., Sibirev N.V., Bolshakov A.D., Fedina S.V., Sapunov G.A., Dvoretckaia L.N., Cirlin G., Kirilenko D.A., Tchernycheva M., Mukhin I.S. // Nanomaterials. 2021. V. 11. P. 1949. https://www.doi.org/10.3390/nano11081949
- 27. Koblmüller G, Hertenberger S, Vizbaras K, Bichler M, Bao F, Zhang JP, Abstreiter G. // Nanotechnology. 2010 V. 21. № 36. P. 365602. https://www.doi.org/10.1088/0957-4484/21/36/365602
- 28. Tomioka K., Motohisa J., Hara S., Fukui T. // Nano Lett. 2008. № 8. P. 3475. https://www.doi.org/10.1021/nl802398j
- 29. Küpers H., Lewis R. B., Corfdir P., Niehle M., Flissikowski T., Grahn H.T., Trampert A., Brandt O., Geelhaar L. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2021. № 13. P. 50220. https://www.doi.org/10.1021/acsanm.2c05575
- 30. Heinke H., Möller M.O., Hommel D., Landwehr G. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 135. P. 41. https://www.doi.org/10.1016/0022-0248 (94)90724-2
- 31. Göransson D.J.O., Borgström M.T., Huang Y.Q., Messing M.E., Hessman D., Buyanova I.A., Chen W.M., Xu H.Q. // Nano Lett. 2019. № 4. P. 2674. https://www.doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b00644
