- Код статьи
- S1028096025010045-1
- DOI
- 10.31857/S1028096025010045
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том / Номер выпуска 1
- Страницы
- 25-30
- Аннотация
- Исследовано влияние концентрационного переохлаждения на строение гетероструктур GaInAsSbP/GaP, выращенных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры. Выявлены основные технологические параметры процесса роста, определена величина начального концентрационного переохлаждения раствора–расплава, необходимого для установления режима кристаллизации, предотвращающего термическую деградацию подложки и исключающую вероятность захвата микровключений раствора–расплава. Обнаружена зависимость рассогласования параметров решеток подложки GaP и слоя GaInAsSbP от начального переохлаждения.
- Ключевые слова
- зонная перекристаллизация концентрационное переохлаждение температура толщина жидкой зоны градиент температуры гетероструктура гетерограница поверхность морфология период решетки ширина запрещенной зоны
- Дата публикации
- 14.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 6
Библиография
- 1. Zubov F.I., Muretova M.E., Asryan L.V., Semenova E.S., Maximov M.V., Zhukov A.E. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 13. P. 133105. https://doi.org/10.1063/1.5039442
- 2. Патент 2606756 (RU). Каскадная солнечная батарея. / АЦУР СПЭЙС Пауер Гмбх. Гутер В. // 2017. https://elibrary.ru/download/elibrary_38275843_ 77951486.pdf
- 3. Butaev M., Skasyrsky Ya.K., Kozlovsky V.I., Andreev A.Yu., Yarotskaya I.V., Marmalyuk A. // Quantum Electronics. 2022. V. 52. № 4. P. 362. https://doi.org/10.1070/QEL18017
- 4. Чистохин И.Б., Журавлев К.С. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. № 1. С. 85.
- 5. Куницына Е.В., Андреев И.А., Коновалов Г.Г., Пивоварова А.А., Ильинская Н.Д., Яковлев Ю.П., Понуровский Я.Я., Надеждинский А.И., Кузьмичев А.С., Ставровский Д.Б., Спиридонов М.В. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 5. С. 508. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52355.9813
- 6. Gamel M.M.A., Ker P.J., Lee H.J., wan Abd Rashid W.E.S., Jamaludin M.Z., Mohammed A.I.A. // IEEE 8th Int. Conf. on Photonics (ICP). Kota Bharu, Malaysia, 2020. Р. 42. https://doi.org/10.1109/ICP46580.2020.9206452
- 7. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений A3B5 (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 1992. 193 с.
- 8. Казаков А.В., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных гетеросистемах / Ред. Романенко В.Н. М.: Металлургия, 1987. 136 с.
- 9. Гусейнов Р.Р., Танрывердиев В.А., Kipshidze G., Алиева Е.H., Алигулиева Х.В., Абдуллаев Н.А., Мамедов Н.Т. // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 4. С. 551. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44351.8401
- 10. M. de la Mare, Das S.C., Das T.D., Dhar D., Krier A. // J. Phys. D. 2011. V. 44. № 31. https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/31/315102
- 11. Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Каргин Н.И. // Сб. трудов 8-й Междунар. науч.-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники “Мокеровские чтения”. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. С. 28. https://elibrary.ru/item.asp?id=30747078&pff=1
- 12. Кушкимбаева Б.Ж., Егембердиева С.Ш., Кейкиманова М.Т., Наметкулова Р.Ж. // Механика и технологии. 2020. Т. 68. № 2. С. 51.
- 13. Chikhalkar A., Zhang C., Faleev N., Honsberg C., King R.R. // IEEE 7th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC). 2018. P. 196. https://doi.org/10.1109/PVSC.2018.8547733
- 14. Vadiee E., Renteria E., Zhang C., Williams J.J., Mansoori A., Addamane S., Balakrishnan G., Honsberg C.B. // 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). 2016. P. 1. https://doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750050
- 15. Ramelan A.H., Harjana H., Arifin P. // Adv. Mater. Sci. Eng. 2010. V. 2010. P. 1. https://doi.org/10.1155/2010/923409
- 16. Hayton J.P., Marshall A.R.J., Thompson M.D., Krier A. // AIMS Mater. Sci. 2015. V. 2. № 2. P. 86. https://doi.org/10.3934/matersci.2015.2.86
- 17. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 2008. 212 с.
- 18. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. № 6. С. 103. https://doi.org/10.7868/S0207352814050023
- 19. Кузнецов В.В., Лунин Л.С., Ратушный В.Н. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений A3B5. СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 2003. 375 с.
- 20. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Казакова А.Е., Пащенко А.С. // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. № 12. С. 1245. https://doi.org/10.7868/S0002337X17120016
- 21. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 с.
- 22. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
