By this author

Study of SiO Films Obtained by PECVD and Doped with Zn

Issue number 4 from 22.01.2025

Представлены результаты исследования пленок оксида кремния, полученных методом PECVD на Si-подложках. Их имплантировали ионами Zn с энергией 50 кэВ (доза 7×10 см), а затем отжигали в атмосфере кислорода при повышенных температурах. Обнаружено, что после имплантации в пленке SiO цинк распределен по нормальному закону с максимумом около 40 нм. После имплантации цинк находится в пленке оксида кремния как в металлической фазе (ближе к поверхности пленки), так и в окисленном состоянии (в глубине пленки). После отжигов до 800°С профиль цинка смещается вглубь пленки, в этом случае цинк находится в пленке только в окисленном состоянии. При высоких температурах (более 800°С) профиль цинка смещается к поверхности пленки.

41 0

Calculation of Parameters of Electromagnetic Radiation of Accelerated Electron Beams During Sliding Interaction with a Dielectric Surface

Issue number 4 from 10.11.2024

Выполнен расчет параметров электромагнитного излучения, которое должно генерироваться при гайдинге ускоренных электронов (протяженном скользящем взаимодействии ускоренных электронов с диэлектрической поверхностью), прижимаемых к поверхности диэлектрической пластины внешним электрическим полем. Модель эффекта (гайдинга) предложена на основе анализа решения уравнения Гамильтона для движения электронов во внешнем электрическом поле и в электростатическом поле, создаваемом электронами, осевшими на поверхности диэлектрической пластины. Суперпозиция этих полей приводит к тому, что электроны во время гайдинга испытывают поперечные колебания относительно поверхности пластины, т.е. приобретают поперечное ускорение. А это, как известно, должно привести к генерации электромагнитного излучения, частота и интенсивность которого зависят от энергии электрона, подобно излучению ондуляторов и вигглеров. Расчет показывает, что при гайдинге электронов в зависимости от их энергии должно генерироваться излучение. Максимум его интенсивности находится в области от ИК- до радиодиапазона.

36 0