By this author

Initiation of Periodic Relief Development on the Silicon Surface under Ion Irradiation

Issue number 3 from 20.02.2025

В сообщении представлены результаты изучения процесса зарождения периодического рельефа на поверхности кремния, облученного фокусированным пучком ионов галлия с энергией 30 кэВ при углах падения ионов θ=30°, 40° и 50°. Показано, что факторами, инициирующими зарождение периодического рельефа, являются: преципитаты галлия в приповерхностном слое кремния (θ=30°), топографическая неоднородность в виде лунки на границе дна и фронтальной стенки кратера распыления (θ=40° и 50°).

40 0