By this author

Calculation of Binding Energy in a Fragment of a Teflon Molecule Using Density Functional Theory

Issue number 3 from 23.12.2025

Для объяснения повышенного выхода положительных частиц с поверхности положительно заряженного диэлектрика было произведено компьютерное моделирование с помощью теории функционала плотности. Модельная система представляла собой фрагмент молекулы тефлона (CF) в вакууме. Была рассчитана энергия связи атомов в данной системе в нейтральном состоянии (без удаления электронов из системы), после чего проведен аналогичный расчет для ионизованного фрагмента молекулы тефлона (с удалением одного электрона из системы атомов). Расчеты показали, что энергия полной диссоциации одного фрагмента молекулы тефлона в нейтральном состоянии равна 11.02 эВ, что с хорошей точностью соответствует экспериментальным данным. Значение энергии связи в ионизованном фрагменте молекулы равно 2.86 эВ, а фрагмент молекулы тефлона диссоциирует на нейтрально заряженный атом фтора и положительно заряженный фрагмент CF. В расчетах с учетом дипольного момента фрагмента молекулы тефлона значение энергии связи получилось равным 2.75 эВ, фрагмент молекулы тефлона также диссоциировал на нейтральный атом фтора и положительно заряженный фрагмент CF. Полученные результаты могут быть причиной повышенного выхода положительных частиц с поверхности положительно заряженного массивного диэлектрика.

39 0