By this author

Change in the Charge State of MOS Structures under Radiation and High-Field Injection at Constant Voltage

Issue number 3 from 23.12.2025

Исследованы особенности накопления радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке подзатворного диэлектрика при сильнополевой инжекции электронов в режиме постоянного напряжения. Определены условия, при которых можно использовать данный режим инжекции электронов для повышения дозовой чувствительности МОП-сенсоров (МОП - металл-оксид-полупроводник) и сенсоров RADFET (Radiation sensing Field Effect Transistor) радиационных излучений. Скорректированы модельные представления о физических процессах, протекающих в подзатворном диэлектрике и на границах раздела МОП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов в режиме постоянного напряжения. Показано, что поглощенную дозу радиационного излучения при постоянном напряжении на образце можно определять из изменений плотности тока сильнополевой инжекции электронов, которая может увеличиваться на несколько порядков вследствие накопления в подзатворном диэлектрике радиационно-индуцированного положительного заряда. Определено влияние интенсивности излучения на процессы накопления радиационно-индуцированного положительного заряда в подзатворном диэлектрике МОП-сенсоров.

44 0