Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ДВУХСЛОЙНЫХ ПОЛЫХ ЧАСТИЦ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА

Номер выпуска 3 от 22.08.2024

Проведен сравнительный анализ спектров диффузного отражения в области от 200 до 2500 нм и их изменений после облучения покрытий на основе полиметилфенилсилоксановой смолы и порошков-пигментов двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO. Облучение осуществляли светом ксеноновой дуговой лампы, имитирующим спектр излучения Солнца, с интенсивностью 3 э.с.о. (э.с.о. - эквивалент солнечного облучения, 1 э.с.о.=0.139 Вт/см). Фотостойкость исследуемых покрытий на основе двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO оценивали относительно покрытий на основе поликристаллов ZnO из анализа разностных спектров диффузного отражения, полученных вычитанием спектров необлученных и облученных образцов. Установлено, что интенсивность полос наведенного поглощения в покрытиях на основе полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO меньше, чем в покрытиях на основе микрочастиц ZnO, а радиационная стойкость при оценке изменения интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения (Δα) в два раза больше. Увеличение радиационной стойкости, вероятно, определяется различной природой накопления дефектов: в случае объемных микрочастиц радиационные дефекты могут накапливаться внутри зерна, в полых частицах накопление дефектов может происходить только в пределах тонкой оболочки сферы.

142 0

КИНЕТИКА ИЗМЕНЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ ПОРОШКА CaSiO, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОЧАСТИЦАМИ CeO

Номер выпуска 9 от 28.04.2025

Исследованы кинетика изменения спектров диффузного отражения и интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения при облучении электронами (энергия Е = 30 кэВ, флуенс Ф = (1–7) × 10 см) и возможность регистрации этих свойств в вакууме на месте облучения (in situ) порошка CaSiO с зернами микронных размеров, исходного и модифицированного наночастицами оксида редкоземельного элемента CeO при их оптимальной концентрации 3 мас. %. Установлено, что модифицирование приводит к увеличению радиационной стойкости от 2.39 до 2.89 раза в зависимости от флуенса электронов. Эффективность модифицирования увеличивается с ростом флуенса электронов при облучении. Полученные результаты могут быть использованы для разработки новых радиационно-стойких терморегулирующих покрытий класса "оптические солнечные отражатели" для космических аппаратов.

3 0