By this author

Study of Xenon Ion-Induced Silicon Amorphization Using Transmission Electron Microscopy and Monte Carlo Simulation

Issue number 3 from 22.08.2024

Для аморфизации монокристаллической кремниевой подложки использованы ионы ксенона с энергией 5 и 8 кэВ. Образцы поперечного сечения облученных областей исследованы методом просвечивающей электронной микроскопии в режиме светлого поля и на основе анализа полученных изображений определены толщины аморфизированных слоев. Моделирование процесса ионной бомбардировки выполнено методом Монте-Карло, которое с использованием модели критической плотности дефектов позволило получить теоретические оценки толщин этих слоев. Результаты вычислений сравнивали с экспериментальными данными. Показано, что моделирование методом Монте-Карло с приемлемой точностью описывает процесс аморфизации монокристаллического кремния ускоренными ионами ксенона низких энергий.

48 0