Статьи автора

ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МИКРОПОРОШКА ZrO, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОЧАСТИЦАМИ MgO

Номер выпуска 3 от 10.01.2025

Представлены результаты исследования радиационной стойкости оптических свойств микропорошка ZrO, модифицированного наночастицами MgO после облучения электронами (E=30 кэВ, Ф=2×10 см). Установлено, что модифицирование наночастицами MgO не приводит к образованию радиационных дефектов новых типов, однако количество образовавшихся дефектов с увеличением содержания MgO уменьшается. При модифицировании радиационная стойкость увеличивается в 1.7 раза по сравнению с немодифицированными образцами.

40 0

ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ДВУХСЛОЙНЫХ ПОЛЫХ ЧАСТИЦ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА

Номер выпуска 3 от 22.08.2024

Проведен сравнительный анализ спектров диффузного отражения в области от 200 до 2500 нм и их изменений после облучения покрытий на основе полиметилфенилсилоксановой смолы и порошков-пигментов двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO. Облучение осуществляли светом ксеноновой дуговой лампы, имитирующим спектр излучения Солнца, с интенсивностью 3 э.с.о. (э.с.о. - эквивалент солнечного облучения, 1 э.с.о.=0.139 Вт/см). Фотостойкость исследуемых покрытий на основе двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO оценивали относительно покрытий на основе поликристаллов ZnO из анализа разностных спектров диффузного отражения, полученных вычитанием спектров необлученных и облученных образцов. Установлено, что интенсивность полос наведенного поглощения в покрытиях на основе полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO меньше, чем в покрытиях на основе микрочастиц ZnO, а радиационная стойкость при оценке изменения интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения (Δα) в два раза больше. Увеличение радиационной стойкости, вероятно, определяется различной природой накопления дефектов: в случае объемных микрочастиц радиационные дефекты могут накапливаться внутри зерна, в полых частицах накопление дефектов может происходить только в пределах тонкой оболочки сферы.

50 0