By this author

The Effect of Copper Content on the Formation of Silicon Suboxides Phases in Cu-Si Films Obtained by Ion-Beam Sputtering

Issue number 2 from 12.07.2024

Система Cu-Si важна для широкого спектра технологических применений. Настоящая работа посвящена исследованию влияния содержания меди на формирование фаз субоксидов кремния в пленках Cu-Si, полученных ионно-лучевым распылением. По данным рентгеновской дифракции и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии в пленке с низким содержанием меди (~15 мас. %) кремний частично находится в аморфном состоянии, а частично окисляется, формируя субоксид SiO. В пленках с высоким содержанием меди Cu (~65 мас. %) формируется фаза CuSi, которая при.водит к возникновению фаз диоксида SiOи субоксида SiO как в приповерхностных, так и в более глубоких слоях. Результаты исследования с помощью. рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии указывают на формирование преимущественно кремний-кислородных тетраэдров типа Si-SiO и SiO в образцах, содержащих ~15 мас. % Cu, и более богатых кислородом кремний-кислородных тетраэдров типа Si-SiO в образцах с ~65 мас. % Cu, как на поверхности, так и в глубоких слоях пленок Cu-Si.

53 0