By this author

Cluster Ion Treatment of the Surface of Single-Crystal Silicon and Germanium at an Angle of 60°

Issue number 2 from 12.09.2024

Рассмотрено формирование самоупорядоченных наноструктур на поверхности монокристаллических кремния и германия с помощью ионно-кластерной обработки. Использованы низкоэнергетические кластерные ионы аргона для более эффективного наноструктурирования поверхности мишеней. С помощью атомно-силового микроскопа проанализирована морфология поверхности мишеней до и после обработки ионно-кластерным пучком аргона. Показано, что обработка низкоэнергетическими кластерными ионами аргона при угле падения 60° относительно нормали к поверхности приводит к эффективному наноструктурированию поверхности кремния и германия при глубине травления, соизмеримой с амплитудой наноструктур. Приведены параметры шероховатости (среднеквадратичная шероховатость и максимальный перепад высот) исходной и обработанных поверхностей мишеней. Проведено сравнение периодов и амплитуд наноструктур, сформированных на поверхностях кремния и германия. Определено, что для дозы облучения 1 × 10 см период наноструктур на поверхностях монокристаллического кремния и германия составляет около 200 нм, в случае германия период больше. Амплитуда наноструктур на поверхности кремния и германия составила около 65 и 50 нм соответственно. После обработки кластерными ионами аргона формируется более развитая поверхность монокристаллического кремния по сравнению с германием.

30 0