Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СОЛНЦА НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МИКРО-, СУБМИКРО- И НАНОПОРОШКОВ ZnO

Номер выпуска 2 от 20.09.2024

Исследовали спектры диффузного отражения порошков ZnO с частицами различных размеров после облучения электромагнитным излучением Солнца. Использовали порошки ZnO высокой степени чистоты, средний размер частиц в различных образцах составил от 800 до 3000 нм (микропорошки), от 100 до 300 нм (субмикропорошки) и 20-50 нм (нанопорошки). Облучение исследуемых порошков электромагнитным излучением Солнца проводили в течение 2, 5, 10 и 15 ч. Результаты исследований показали, что отражательная способность поверхности микропорошков оксида цинка в области длин волн от 200 до 2000 нм выше, чем у субмикро- и нанопорошков. Вклад в формирование интегральной полосы поглощения, ответственной за деградацию оптических свойств микро- и нанопорошков ZnO, дают наведенные дефекты катионной подсистемы, субмикропорошков - дефекты анионной подсистемы и акцепторно-донорные пары. Примерно одинаковая интенсивность полос поглощения дефектов субмикропорошков ZnO объясняет малое значение изменения интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения у данного типа образцов. Это объясняет более высокую радиационную стойкость субмикропорошков оксида цинка к действию квантов солнечного спектра при одинаковых условиях облучения.

48 0

ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ДВУХСЛОЙНЫХ ПОЛЫХ ЧАСТИЦ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА

Номер выпуска 3 от 22.08.2024

Проведен сравнительный анализ спектров диффузного отражения в области от 200 до 2500 нм и их изменений после облучения покрытий на основе полиметилфенилсилоксановой смолы и порошков-пигментов двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO. Облучение осуществляли светом ксеноновой дуговой лампы, имитирующим спектр излучения Солнца, с интенсивностью 3 э.с.о. (э.с.о. - эквивалент солнечного облучения, 1 э.с.о.=0.139 Вт/см). Фотостойкость исследуемых покрытий на основе двухслойных полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO оценивали относительно покрытий на основе поликристаллов ZnO из анализа разностных спектров диффузного отражения, полученных вычитанием спектров необлученных и облученных образцов. Установлено, что интенсивность полос наведенного поглощения в покрытиях на основе полых частиц ZnO/SiO и SiO/ZnO меньше, чем в покрытиях на основе микрочастиц ZnO, а радиационная стойкость при оценке изменения интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения (Δα) в два раза больше. Увеличение радиационной стойкости, вероятно, определяется различной природой накопления дефектов: в случае объемных микрочастиц радиационные дефекты могут накапливаться внутри зерна, в полых частицах накопление дефектов может происходить только в пределах тонкой оболочки сферы.

50 0