Исследовано влияние концентрационного переохлаждения на строение гетероструктур GaInAsSbP/GaP, выращенных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры. Выявлены основные технологические параметры процесса роста, определена величина начального концентрационного переохлаждения раствора–расплава, необходимого для установления режима кристаллизации, предотвращающего термическую деградацию подложки и исключающую вероятность захвата микровключений раствора–расплава. Обнаружена зависимость рассогласования параметров решеток подложки GaP и слоя GaInAsSbP от начального переохлаждения.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации