RAS PhysicsПоверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Особенности прохождения пучка релятивистских заряженных частиц (электронов или позитронов) через монокристалл с плотноупакованной структурой вдоль кристаллографических плоскостей или осей, как и характеристики возникающего при этом электромагнитного излучения, в значительной мере определяются возможностью захвата частиц в состояние каналирования и их распределением по квантовым состояниям с разными энергиями поперечного движения. Точный квантовый расчет вероятностей заселения разных состояний спектра энергий поперечного движения математически весьма затруднен и аналитически возможен только для простейших модельных потенциалов. Для реалистичных моделей потенциалов плоскостных и осевых каналов в кристалле возможны лишь приближенные оценки в классическом или квазиклассическом подходах. В статье приведены расчеты и оценки вероятностей заселения состояний при плоскостном каналировании. Показано, что даже для коллимированных пучков частиц, для которых характерны высокие вероятности захвата частиц в канал, распределения частиц по энергиям поперечного движения в плоскостном канале близки к равновероятным. Также оценена возможность резонансного захвата в состояние осевого каналирования для электронов, влетающих в монокристалл со значениями момента импульса относительно кристаллических осей, кратными постоянной Планка.
Indexing
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation