Статьи автора

ЗАПОЛНЕНИЕ СОСТОЯНИЙ В РЕЖИМЕ ПЛОСКОСТНОГО КАНАЛИРОВАНИЯ И ВОЗМОЖНОСТЬ РЕЗОНАНСНОГО ЗАХВАТА РЕЛЯТИВИСТСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТОЯНИЕ АКСИАЛЬНОГО КАНАЛИРОВАНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛЕ

Номер выпуска 9 от 30.03.2025

Особенности прохождения пучка релятивистских заряженных частиц (электронов или позитронов) через монокристалл с плотноупакованной структурой вдоль кристаллографических плоскостей или осей, как и характеристики возникающего при этом электромагнитного излучения, в значительной мере определяются возможностью захвата частиц в состояние каналирования и их распределением по квантовым состояниям с разными энергиями поперечного движения. Точный квантовый расчет вероятностей заселения разных состояний спектра энергий поперечного движения математически весьма затруднен и аналитически возможен только для простейших модельных потенциалов. Для реалистичных моделей потенциалов плоскостных и осевых каналов в кристалле возможны лишь приближенные оценки в классическом или квазиклассическом подходах. В статье приведены расчеты и оценки вероятностей заселения состояний при плоскостном каналировании. Показано, что даже для коллимированных пучков частиц, для которых характерны высокие вероятности захвата частиц в канал, распределения частиц по энергиям поперечного движения в плоскостном канале близки к равновероятным. Также оценена возможность резонансного захвата в состояние осевого каналирования для электронов, влетающих в монокристалл со значениями момента импульса относительно кристаллических осей, кратными постоянной Планка.

1 0