Статьи автора

ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ НАНОПОРИСТОГО ГЕРМАНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ИОНАМИ ИНДИЯ

Номер выпуска 9 от 12.02.2025

Тонкие нанопористые слои Ge в настоящее время находят свое применение в различных технологических устройствах, например в конструкциях анодов ионно-литиевых батарей, ИК-поглощающих газовых сенсоров и др. Отдельным интересным применением таких слоев является их использование в качестве высокоэффективных антиотражающих оптических покрытий различных фотоприемников и солнечных элементов. Настоящее исследование посвящено проблеме создания антиотражающего покрытия на поверхности c-Ge методом низкоэнергетической высокодозовой имплантации ионов In в вакууме в противоположность общепринятым химическим методам. Приведены результаты исследования модификации поверхности полированной подложки монокристаллического c-Ge, облученной ионами In с энергией 30 кэВ, при плотности тока в ионном пучке 5 мкА/см и широком интервале высоких доз 1.0 × 10–7.2 × 10 ион/см. Морфологический анализ топографии поверхности проводился методом высокоразрешающей сканирующей электронной микроскопии. Определены появление и изменение морфологии пористых слоев с ростом ионной дозы. При наименьшем значении дозы 1.8 × 10 ион/см происходит образование пористой структуры в виде пчелиных сот с нанометровыми круглыми отверстиями. При превышении критического значения дозы 1.9 × 10 ион/см наблюдается формирование губчатой пористой структуры, образованной переплетающимися нанонитями, геометрические параметры которых с дальнейшим ростом дозы не изменяются. По результатам измерения спектров оптического отражения имплантированных слоев показано, что сформированный материал характеризуется низким значением коэффициента отражения в спектральной области 220–1050 нм и может служить эффективным антиотражающим покрытием.

0