Статьи автора

ФОРМИРОВАНИЕ И РЕЛАКСАЦИЯ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ В РАДИАЛЬНЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InAs/InP

Номер выпуска 9 от 06.02.2025

В настоящей работе исследованы ориентированные массивы нитевидных нанокристаллов InAs и InAs/InP наногетероструктуры со структурой типа "ядро–оболочка" на основе нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована высокая поверхностная плотность нитевидных нанокристаллов в массиве (5–10 на мкм). Данные высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показали, что при толщине оболочки до 15–20 нм на боковых гранях нитевидных нанокристаллов InAs возможен псевдоморфный рост InP, а при толщине оболочки больше 20 нм происходит полная релаксация упругих напряжений. Установлено, что в радиальных гетероструктурированных нитевидных нанокристаллах с тонкой оболочкой из InP дефекты формируются лишь в области вершины, в то время как на радиальной гетерограннице формирование дефектов не наблюдали.

0