Статьи автора

ФОРМИРОВАНИЕ И РЕЛАКСАЦИЯ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ В РАДИАЛЬНЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InAs/InP

Номер выпуска 9 от 06.02.2025

В настоящей работе исследованы ориентированные массивы нитевидных нанокристаллов InAs и InAs/InP наногетероструктуры со структурой типа "ядро–оболочка" на основе нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована высокая поверхностная плотность нитевидных нанокристаллов в массиве (5–10 на мкм). Данные высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показали, что при толщине оболочки до 15–20 нм на боковых гранях нитевидных нанокристаллов InAs возможен псевдоморфный рост InP, а при толщине оболочки больше 20 нм происходит полная релаксация упругих напряжений. Установлено, что в радиальных гетероструктурированных нитевидных нанокристаллах с тонкой оболочкой из InP дефекты формируются лишь в области вершины, в то время как на радиальной гетерограннице формирование дефектов не наблюдали.

0

РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ GaPNAs/GaP ТИПА ЯДРО–ОБОЛОЧКА НА ПОДЛОЖКЕ Si(111)

Номер выпуска 9 от 27.02.2025

Развитие технологии роста нитевидных нанокристаллов на основе твердого раствора GaPNAs представляет интерес для современной фотоники. Проведен структурный анализ выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии по самокаталитическому механизму нитевидных нанокристаллов GaPNAs/GaP типа ядро–оболочка на подложке Si(111). С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии показано наличие ядра и составной оболочки в исследуемых нанокристаллах, определена двойниковая фаза сфалерита, а также фаза вюрцита, не являющаяся двойником. Измерения методом растровой электронной микроскопии выявили формирование сплошного слоя островков на поверхности образца при включении потока азота, что является признаком встраивания азота в выращиваемые структуры. Методом картирования обратного пространства было невозможно разделить дифракционные рефлексы ядра и оболочки как фазы сфалерита, так и фазы вюрцита. Был определен усредненный параметр решетки фазы сфалерита 5.458 ± 0.005 Å, а также усредненные параметры решетки фазы вюрцита: a = 3.87 ± 0.01, c = 6.28 ± 0.01 Å. Факт неразличимости решеток фаз в объеме нанокристаллов подтверждает возможность создания качественных малодефектных нитевидных нанокристаллов GaPNAS/GaP.

0