By this author

Formation and Relaxation of Elastic Stress in Radial InAs/InP Nanoheterostructures

Issue number 9 from 06.02.2025

В настоящей работе исследованы ориентированные массивы нитевидных нанокристаллов InAs и InAs/InP наногетероструктуры со структурой типа "ядро–оболочка" на основе нитевидных нанокристаллов, синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована высокая поверхностная плотность нитевидных нанокристаллов в массиве (5–10 на мкм). Данные высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показали, что при толщине оболочки до 15–20 нм на боковых гранях нитевидных нанокристаллов InAs возможен псевдоморфный рост InP, а при толщине оболочки больше 20 нм происходит полная релаксация упругих напряжений. Установлено, что в радиальных гетероструктурированных нитевидных нанокристаллах с тонкой оболочкой из InP дефекты формируются лишь в области вершины, в то время как на радиальной гетерограннице формирование дефектов не наблюдали.

5 0

Numerical Study of Second Harmonic Generation in GaP Optical Nanoresonators

Issue number 9 from 14.02.2025

Одним из актуальных на данный момент направлений является создание оптических систем суммирования и удвоения частоты излучения, активную часть которых выполняют с использованием нелинейных кристаллов. В качестве перспективного материала для таких элементов можно отметить фосфид галлия в форме нитевидных нанокристаллов, обладающий высоким значением квадратичной диэлектрической проницаемости, а также прозрачности в видимой и инфракрасной областях спектра. Благодаря форме такие кристаллы могут быть эффективно внедрены в современные системы интегральной фотоники. В настоящей работе было проведено численное исследование процесса генерации второй гармоники в нитевидных нанокристаллах GaP в зависимости от их геометрических параметров и ориентации падающего излучения. Были найдены условия, обеспечивающие наибольшую эффективность генерации вдоль оси нанокристалла. Показана возможность распространения второй гармоники вдоль оси нитевидных нанокристаллов в воздушной среде при конкретных параметрах системы — поперечном размере нитевидного кристалла и угле падения излучения. Увеличение поперечных размеров образов приводит к уменьшению разницы между реальным и предсказанным направлениями распространения излучения, так как при увеличении нитевидного нанокристалла его характеристики, связанные с размером, стремятся к объемным. Полученные результаты могут быть использованы в создании различных устройств нанофотоники.

6 0

X-ray Structural Analysis of Core—Shell GaPNAs/GaP Nanowires Grown on a Si(111) Substrate

Issue number 9 from 27.02.2025

Развитие технологии роста нитевидных нанокристаллов на основе твердого раствора GaPNAs представляет интерес для современной фотоники. Проведен структурный анализ выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии по самокаталитическому механизму нитевидных нанокристаллов GaPNAs/GaP типа ядро–оболочка на подложке Si(111). С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии показано наличие ядра и составной оболочки в исследуемых нанокристаллах, определена двойниковая фаза сфалерита, а также фаза вюрцита, не являющаяся двойником. Измерения методом растровой электронной микроскопии выявили формирование сплошного слоя островков на поверхности образца при включении потока азота, что является признаком встраивания азота в выращиваемые структуры. Методом картирования обратного пространства было невозможно разделить дифракционные рефлексы ядра и оболочки как фазы сфалерита, так и фазы вюрцита. Был определен усредненный параметр решетки фазы сфалерита 5.458 ± 0.005 Å, а также усредненные параметры решетки фазы вюрцита: a = 3.87 ± 0.01, c = 6.28 ± 0.01 Å. Факт неразличимости решеток фаз в объеме нанокристаллов подтверждает возможность создания качественных малодефектных нитевидных нанокристаллов GaPNAS/GaP.

3 0